高频QR驱动LP8841系列 · 同步整流LP35118V · 海矽美全系SiC MOSFET
合封模块LP8841IxC
内置海矽美SiC 0.3Ω~1.5Ω
LP35118V 同步整流 200V耐压
高频QR反激 外驱SiC
适配海矽美SiC: 驱动18V, 上升110ns, 峰值电流控制
内置750V SiC 晶圆
ESOP-10超小封装 · 集成SiC MOS · 故障自恢复/锁存 · 全保护
芯茂微 · 200V高耐压 · DCM/CCM 支持正激/反激
专利整流管开通技术,避免激磁振荡误开通;极快关断速度降低CCM损耗;集成VCC供电,无需辅助绕组
通过外部电阻R_D (200~350Ω) 可调节关断阈值,增强抗负压能力。参考LP35118V Rev1.4
* 海矽美全系列SiC MOSFET 均提供规格书下载,点击PDF图标在新窗口打开。